近紅外一般定義為700-1600nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光線，由于硅傳感器的上限約為1100nm，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見(jiàn)光難以或無(wú)法實(shí)施的應(yīng)用可通過(guò)近紅外成像完成。當(dāng)使用近紅外成像時(shí)，水蒸氣、霧和硅等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測(cè)被應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)方面。

使用顯微鏡的近紅外（NIR）成像可透過(guò)厚度高達(dá)650微米的硅進(jìn)行成像，成為檢測(cè)電子設(shè)備和半導(dǎo)體的一種強(qiáng)有力的方式。微電子設(shè)備的典型故障分析方案要求能透過(guò)硅對(duì)電路圖進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)，同時(shí)保持成品的機(jī)械整合性。

使用近紅外成像的典型電子設(shè)備檢測(cè)包括：

· 產(chǎn)品內(nèi)部的短路檢測(cè)（如燒蝕標(biāo)記、壓力指標(biāo)）

· 鍵合對(duì)準(zhǔn)（分析薄鍵合電路之間的對(duì)齊標(biāo)記和粘結(jié)晶圓的對(duì)齊）

· 電氣測(cè)試后的檢測(cè)（任何類(lèi)型的故障）

· 芯片損壞評(píng)估（如原料缺陷、污染）

· 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）檢測(cè)，如粘結(jié)晶圓內(nèi)的設(shè)備結(jié)構(gòu)、孔洞和缺陷探測(cè)以及實(shí)時(shí)機(jī)械移動(dòng)狀態(tài)成像